20P06 TO252
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：61mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4W 类型：P沟道
20P06 TO252的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）30A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻61mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）4W
类型P沟道
20P06 TO252
20P06 TO252及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| 20P06 TO252 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：61mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4W 类型：P沟道 | VBsemi(台湾微碧) |  | 831 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
20P06 TO252的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | 20P06 TO252 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：61mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4W 类型：P沟道 | 1+:￥1.1487
10+:￥0.8488
30+:￥0.7937
100+:￥0.7387
500+:￥0.7142
1000+:￥0.7021
|